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FQP9N50C: N-沟道 QFET® MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ

不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合于高效率的开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。

特性

• 9 A、500 V、R_DS(on) = 800 mΩ（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 4.5 A
• 低栅极电荷（典型值 28 nC）
• 低 Crss（典型值 24 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试

应用指南