不推荐新设计使用截至2013年10月30日
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
| FQPF10N60C 数据手册 |
| 产品 | 产品和生态状况 | 替代部件编号 | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FQPF10N60CT | 废弃截至2011年12月14日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | FDPF10N60NZ
| TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF10N60C_F105 | 废弃截至2017年2月27日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | FDPF10N60NZ | TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF10N60C | 不推荐新设计使用截至2013年10月30日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | FDPF10N60NZ | TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF10N60CT | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
| FQPF10N60C_F105 | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
| FQPF10N60C | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
