不推荐新设计使用截至2010年10月26日
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
| FQPF5N60C 数据手册 |
| 产品 | 产品和生态状况 | 替代部件编号 | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FQPF5N60C | 不推荐新设计使用截至2010年10月26日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | 无
| TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF5N60C | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
