FQPF5N60C: 600V N-Channel Advance QFET® C-Series

不推荐新设计使用截至2010年10月26日

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

FQPF5N60C 数据手册
特性
  • 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10V
  • Low gate charge (typical 15 nC)
  • Low Crss (typical 6.5 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FQPF5N60C不推荐新设计使用截至2010年10月26日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS
TO-220F 3L  -  4.7 x 10.06 x 15.87mm,  管装第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FQPF

第三行5N60C

FQPF5N60C0.70.655150
应用指南
  • AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日
  • AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9010 MOSFET 基础 最后更新 : 2014年6月28日
  • AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日
  • AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日
  • AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计 最后更新 : 2014年11月26日
  • Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011
    MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013
    A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
    FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014