不推荐新设计使用截至2013年10月30日
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
| FQPF8N60C 数据手册 |
| 产品 | 产品和生态状况 | 替代部件编号 | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FQPF8N60CT | 废弃截至2011年12月14日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | FDPF7N60NZ
| TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF8N60CYDTU | 废弃截至2013年9月14日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | 无
| TO-220F 3L
-
4.5 x 9.9 x 15.7mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF8N60C | 不推荐新设计使用截至2013年10月30日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | 无
| TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF8N60C_F105 | 废弃截至2011年12月14日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | FDPF7N60NZ | TO-220F 3L
-
4.7 x 10.06 x 15.87mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FQPF |
| FQPF8N60CT | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
| FQPF8N60CYDTU | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
| FQPF8N60C | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
| FQPF8N60C_F105 | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
