FQU8P10:N 沟道 QFET® MOSFET -100V,-6.6A,530mΩ

FQU8P10 该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

技术特性
  • -6.6 A,-100 V,RDS(on) = 530 mΩ(最大值)@VGS = -10 V,ID = -3.3 A
  • 低栅极电荷(典型值12nC)
  • 低 Crss(典型值30pF)
  • 100%经过雪崩击穿测试
应用
  • 其他工业
实物参考图

FQU8P10 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FQU8P10TU 量产 $0.53 TO-251 3L (IPAK) 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FQU
第三行:8P10
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  2.84  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 QFET® MOSFET -100V,-6.6A,530mΩ FQU8P10 1