HGT1S10N120BNS:1200 V NPT IGBT
HGT1S10N120BNS 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| HGT1S10N120BNST | 量产 | $2.81 | TO-263 2L (D2PAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:10N120BN |
FIT : 5.1 RƟJC : 0.42 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 1200 V NPT IGBT | HGT1S10N120BNS | 1 |
