HGTG30N60A4:600V, SMPS IGBT

HGTG30N60A4  结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态传导损耗特性。该 IGBT 非常适合许多工作频率很高,而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。该设备已被优化来实现快速开关应用,比如 UPS 和焊机。

技术特性
  • 60A, 600V @ TC = 110°C
  • 低饱和电压:V CE(sat) = 1.8 V,需 I C = 30 A
  • 典型下降时间。. . . . . . . . . TJ = 125°C时为58ns
  • 低传导损耗
应用
  • 其他工业
实物参考图

HGTG30N60A4 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
HGTG30N60A4 量产 $7.03 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:G30N60A4
FIT :  5.1  
RƟJC :  0.27  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
AN-6004 500W Power-Factor-Corrected (PFC) Converter Design with FAN4810(547 K) 2011年3月05日
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概述 文档编号 版本
600V, SMPS IGBT HGTG30N60A4 1