HGTG30N60B3:600 V NPT IGBT
HGTG30N60B3 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态传导损耗特性。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器和电源。
技术特性
应用
|
实物参考图
|
订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| HGTG30N60B3 | 量产 | $5.68 | TO-247 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:G30N60B3 |
FIT : 5.1 RƟJC : 0.6 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 600 V NPT IGBT | HGTG30N60B3 | 1 |
