不推荐新设计使用截至2012年7月25日
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。
| HUF76413DK_F085 数据手册 |
| 产品 | 产品和生态状况 | 替代部件编号 | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| HUFA76413DK8T_F085 | 不推荐新设计使用截至2012年7月25日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | 无
| SO 8L NB
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1.75 x 3.9 x 4.9mm,
卷带
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K
第二行76413 |
| HUFA76413DK8T_F085 | 0.7 | 0.6 | 55 | 150 |
