HUFA76419D_F085: 60 V、20 A、26.7 mΩ、DPAKN 沟道 UltraFET®

HUFA76419D_F085 数据手册
特性
  • 超低导通电阻
  • RDS(ON) = 0.037 Ω,VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 0.043 Ω,VGS = 5 V
  • 模拟模型
  • 温度补偿式PSPICE®和SABERTM电气模型
  • SPICE和SABER热阻抗模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 开关时间与RGS曲线的关系
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况单价/1K包装方法规则丝印标记
HUFA76419D3ST量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS$0.2635TO-252 3L (DPAK)  -  2.285 x 6.54 x 9.905mm,  卷带第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行76419D

HUFA76419D3ST0.70.655150