IRLM120A: N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ

不推荐新设计使用截至2005年1月12日

IRLM120A 数据手册
特性
  • 雪崩耐用技术
  • 坚固的门栅氧化层技术与较低的输入电容
  • 增加的栅极电荷
  • 增加安全工作区域范围
  • 更低的漏电流： 10 µA（最大值）@ VDS = 200 V
  • 更低的 RDS(ON)： 0.609 Ω（典型值）
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
IRLM120ATF不推荐新设计使用截至2005年1月12日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS无
SOT-223 4L  -  1.8 x 6.5 x 3.5mm,  卷带第一行IRLM120A

第二行3

IRLM120ATF0.70.655150
应用指南
  • AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日
  • AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9010 MOSFET 基础 最后更新 : 2014年6月28日
  • AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日
  • AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日
  • AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计 最后更新 : 2014年11月26日
    • Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011
    MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013
    A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
    FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014
    Products 产品服务
    Manufacturers 生产厂家
    联系购买Sales
    ©1993 - 2024 BDTIC