AD667是一款完整的电压输出、12位单芯片数模转换器,内置一个高稳定性嵌入式齐纳基准电压源和双缓冲输入锁存器。该转换器采用12个精密、高速、双极性电流导引开关和一个经激光调整的薄膜电阻网络,可提供快速建立时间和高精度特性。
微处理器兼容性通过片内双缓冲锁存器实现。输入锁存器能够与4位、8位、12位或16位总线直接接口。因此,第一级锁存器的12位数据可以传输至第二级锁存器,能够避免产生杂散模拟输出值。锁存器可以响应100 ns的短选通脉冲,因而可以与现有最快的微处理器配合使用。
AD667拥有如此全面的功能与高性能,是采用先进的开关设计、高速双极性制造工艺和成熟的激光晶圆调整技术(LWT)的结果。该器件在晶圆阶段进行调整,+25°C时最大线性误差为±1/4 LSB(K、B级),整个工作温度范围内的线性误差为±1/2 LSB。
芯片的表面下(嵌入式)齐纳二极管提供一个低噪声基准电压源,它具有长期稳定性和出色的温度漂移特性,优于最佳的分立式基准电压二极管。激光调整工艺拥有出色的线性度,也可用于调整基准电压源的绝对值及其温度系数。因此,AD667具有宽温度范围性能,最大线性误差为±1/2 LSB,并且可以在整个温度范围内保证单调性。满量程增益温度系数典型值为5 ppm/°C。
AD667按性能分为五级。AD667J和AD667K的额定温度范围为0°C至+70°C,采用28引脚注塑DIP (N)或PLCC (P)封装。AD667S级的额定温度范围为-55°C至+125°C,采用陶瓷DIP (D)或LCC (E)封装。AD667A和AD667B的额定温度范围为-25°C至+85°C,采用28引脚密封陶瓷DIP (D)封装。
特性
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功能框图 |
产品型号 | 产品状态 | 封装 | 引脚 | 温度范围 |
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5962-88659013A | 量产 | LCC:CER LEADLESS CHIP CARR | 28 | 军用 |
5962-8865901XA | 量产 | S/B OR B/B CERAMIC DIP | 28 | 军用 |
AD42897Z | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667AD | 量产 | S/B OR B/B CERAMIC DIP | 28 | 工业 |
AD667BD | 量产 | S/B OR B/B CERAMIC DIP | 28 | 工业 |
AD667JCHIPS | 量产 | CHIPS OR DIE | - | 商业 |
AD667JN | 量产 | 28 ld PDIP | 28 | 商业 |
AD667JNZ | 量产 | 28 ld PDIP | 28 | 商业 |
AD667JP | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667JP-REEL | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667JPZ | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667JPZ-REEL | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667KN | 量产 | 28 ld PDIP | 28 | 商业 |
AD667KNZ | 量产 | 28 ld PDIP | 28 | 商业 |
AD667KP | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667KPZ | 量产 | 28 ld PLCC | 28 | 商业 |
AD667KPZ-REEL | 量产 | PLCC:PLASTIC LEAD CHIP CAR | 28 | 商业 |
AD667SD | 量产 | S/B OR B/B CERAMIC DIP | 28 | 军用 |
AD667SD/883B | 量产 | S/B OR B/B CERAMIC DIP | 28 | 军用 |
AD667SE | 量产 | LCC:CER LEADLESS CHIP CARR | 28 | 军用 |
AD667SE/883B | 量产 | LCC:CER LEADLESS CHIP CARR | 28 | 军用 |