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AD667JPZ:  微处理器兼容型12位DAC

AD667是一款完整的电压输出、12位单芯片数模转换器,内置一个高稳定性嵌入式齐纳基准电压源和双缓冲输入锁存器。该转换器采用12个精密、高速、双极性电流导引开关和一个经激光调整的薄膜电阻网络,可提供快速建立时间和高精度特性。

微处理器兼容性通过片内双缓冲锁存器实现。输入锁存器能够与4位、8位、12位或16位总线直接接口。因此,第一级锁存器的12位数据可以传输至第二级锁存器,能够避免产生杂散模拟输出值。锁存器可以响应100 ns的短选通脉冲,因而可以与现有最快的微处理器配合使用。

AD667拥有如此全面的功能与高性能,是采用先进的开关设计、高速双极性制造工艺和成熟的激光晶圆调整技术(LWT)的结果。该器件在晶圆阶段进行调整,+25°C时最大线性误差为±1/4 LSB（K、B级）,整个工作温度范围内的线性误差为±1/2 LSB。

芯片的表面下（嵌入式）齐纳二极管提供一个低噪声基准电压源,它具有长期稳定性和出色的温度漂移特性,优于最佳的分立式基准电压二极管。激光调整工艺拥有出色的线性度,也可用于调整基准电压源的绝对值及其温度系数。因此,AD667具有宽温度范围性能,最大线性误差为±1/2 LSB,并且可以在整个温度范围内保证单调性。满量程增益温度系数典型值为5 ppm/°C。

AD667按性能分为五级。AD667J和AD667K的额定温度范围为0°C至+70°C,采用28引脚注塑DIP (N)或PLCC (P)封装。AD667S级的额定温度范围为-55°C至+125°C,采用陶瓷DIP (D)或LCC (E)封装。AD667A和AD667B的额定温度范围为-25°C至+85°C,采用28引脚密封陶瓷DIP (D)封装。

AD667JPZ 特点

• 完整的12位数模转换功能
  双缓冲锁存器
  片内输出放大器
  高稳定性嵌入式齐纳基准电压源
• 单芯片结构
• 在整个温度范围内保证单调性
• 在整个温度范围内保证线性度：1/2 LSB（最大值）
• 0.01%建立时间：3 µs（最大值）
• 保证工作电压：±12 V或±15 V
• 低功耗：300 mW（包括基准电压源）
• TTL/5 V CMOS兼容逻辑输入
• 低逻辑输入电流
• 提供符合MIL-STD-883标准的版本

AD667JPZ 功能框图

AD667 芯片订购指南

产品型号	产品状态	封装	引脚	温度范围
5962-88659013A	量产	LCC:CER LEADLESS CHIP CARR	28	军用
5962-8865901XA	量产	S/B OR B/B CERAMIC DIP	28	军用
AD42897Z	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667AD	量产	S/B OR B/B CERAMIC DIP	28	工业
AD667BD	量产	S/B OR B/B CERAMIC DIP	28	工业
AD667JCHIPS	量产	CHIPS OR DIE	-	商业
AD667JN	量产	28 ld PDIP	28	商业
AD667JNZ	量产	28 ld PDIP	28	商业
AD667JP	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667JP-REEL	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667JPZ	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667JPZ-REEL	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667KN	量产	28 ld PDIP	28	商业
AD667KNZ	量产	28 ld PDIP	28	商业
AD667KP	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667KPZ	量产	28 ld PLCC	28	商业
AD667KPZ-REEL	量产	PLCC:PLASTIC LEAD CHIP CAR	28	商业
AD667SD	量产	S/B OR B/B CERAMIC DIP	28	军用
AD667SD/883B	量产	S/B OR B/B CERAMIC DIP	28	军用
AD667SE	量产	LCC:CER LEADLESS CHIP CARR	28	军用
AD667SE/883B	量产	LCC:CER LEADLESS CHIP CARR	28	军用

AD667JPZ 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载

1. AD667 数据手册DataSheet 下载 . pdf
2. ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
3. Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf