FJP2145 是一个低成本、高性能的功率开关,当它在以下应用的ESBC™配置中使用时可提供最佳的性能: 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达1100V的电压和5amps的电流下工作,同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。 ESBC™ 开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC MOSFET 是低电压、低成本、表面贴装器件,同时具备低输入电容和快速开关特性。 由于没有米勒电容,ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。 FJP2145因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计,因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值,并且没有寄生晶体管,因此它不易于发生静态dv/dt故障。 该功率开关采用专用的高压双极工艺制造,并密封于高压TO-220封装中。
技术特性
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实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FJP2145TU | 量产 | $0.377 | TO-220 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:J2145 |
RTHETA (JA) : 78.72 °C/W RƟJC : 1.04 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
概述 | 文档编号 | 版本 |
ESBC™ 额定NPN功率晶体管 | FJP2145 | 1 |