与CoolMOS™ CP相比,英飞凌的新600V CoolMOS™ C7系列使关断损耗 (E oss) 下降大约50%,从而在PFC、TTF和其他硬开关拓扑结构中提供了类似于氮化镓级别的性能。
能效和TCO(总成本)驱动的应用受益于600V CoolMOS™ C7所提供的更高能效。. 可以在PFC和LLC拓扑结构中分别将能效提高0.3%到0.7%和0.1%。 例如,对于2.5kW服务器PSU,使用TO247 4脚封装的600V CoolMOS™ C7可以针对PSU能量损失将能量成本降低大约10%。
通过将600V CoolMOS™ C7和TO-247 4引脚封装相结合,BoM(物料清单)成本驱动的应用可以在满载下获得目标能效。 通过增大MOSFET的R [1} DS(on)使其达到先前的3引脚封装满载能效,可以实现此目标,从而降低成本(即,40mΩ对70mΩ器件)。 将开关频率增大一倍还可以节省磁性元器件材料。 铜绕组成本最多可以降低30%,而铁芯成本最多可以降低45%(依赖于所使用的材料)。
R DS(on)max | TO-247 | TO-247 4pin | DPAK |
---|---|---|---|
180/185mΩ | IPW60R180C7 | IPD60R180C7 | |
120/125mΩ | IPW60R120C7 | ||
99/104mΩ | IPW60R099C7 | IPZ60R099C7 | |
60/65mΩ | IPW60R060C7 | IPZ60R060C7 | |
40mΩ | IPW60R040C7 | IPZ60R040C7 * | |
17mΩ | IPW60R017C7 | IPZ60R017C7 |
R DS(on)max | TO-220 | TO-220 FullPAK | ThinPAK 8x8 |
---|---|---|---|
180/185mΩ | IPP60R180C7 ** | IPA60R180C7 | IPL60R185C7 |
120/125mΩ | IPP60R120C7 | IPA60R120C7 | IPL60R125C7 |
99/104mΩ | IPP60R099C7 | IPA60R099C7 | IPL60R104C7 |
60/65mΩ | IPP60R060C7 | IPA60R060C7 | IPL60R065C7 |
40mΩ | IPP60R040C7 |
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