特点

• 自举电源电压高至 114V
• 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
• 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
• 3A 峰值底端栅极上拉电流
• 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
• 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
• 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
• 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
• 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
• 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
• 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
• 具欠压闭锁功能
• 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

典型应用

应用

• 分布式电源架构
• 汽车电源
• 高密度电源模块
• 电信系统

封装信息

数据表

• LTC4446 - High Voltage High Side / Low Side N-Channel MOSFET Driver

可靠性数据

• R419 Reliability Data

产品新闻发布

• LTC4446 - 100V 高端/低端 N 沟道高速 MOSFET 驱动器

CAD 符号

• LTC4446 Footprints and Symbols

LTspice

• LTC4446 Demo Circuit - Fast Turn-On/Turn-Off DC Switch (0-100V Input)

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