DS1270W:3.3V、16Mb非易失SRAM

3.3V非易失SRAM,提供16Mb存储容量

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围
DS1270W:引脚分配
DS1270W:引脚分配
应用
  • 自动测试设备(ATE)
  • 水电气表自动抄表
  • 楼宇能源管理(HVAC)
  • 电缆调制解调器
  • 计算机:台式机、工作站和服务器
  • 数字电视(接收机,机顶盒)
  • 调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
  • 网络集线器、交换机和路由器
  • 笔记本电脑
  • 示波器
  • 打印机与传真机
  • 可编程逻辑控制器
  • 存储系统
  • 测试与测量设备
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS1270W.pdfRev 3; 11/2010
关键参数
Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1270WNV SRAM2M x 8Parallel33.6EDIP/36$130.28 @1k
技术资料
质量和环境数据
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订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS1270W-1003.3V、100ns停止供货DS1270W-100#EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1270W-100#生产中EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°C
DS1270W-100IND3.3V、100ns停止供货DS1270W-100IND#EDIP,;36引脚;861.6mm²-40°C至+85°C参考数据资料
DS1270W-100IND#生产中EDIP,;36引脚;861.6mm²-40°C至+85°C
DS1270W-1503.3V、150ns停止供货DS1270W-100#EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°C参考数据资料
DS1270W-150#停止供货DS1270W-100#EDIP,;36引脚;861.6mm²0°C至+70°C
DS1270W.pdf DS1270W
DS1270W.pdf DS1270W
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