SiC功率模块 BSM180D12P3C007 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

SiC功率模块 BSM180D12P3C007

使用罗姆公司生产SiC-UMOSFET的半桥构成SiC MOSFET模块： BSM180D12P3C007 。

型号	Status	封装	包装数量	最小独立包装数量	包装形态	RoHS
BSM180D12P3C007	供应中	C	12	12	Tray	Yes

BSM180D12P3C007 数据手册 Data Sheet

技术特性

Drain-source Voltage[V]	1200
Drain Current[A]	180.0
Total Power Dissipation[W]	880
Junction Temperature(Max.)[°C]	175
Storage Temperature (Min.)[°C]	-40
Storage Temperature (Max.)[°C]	125

技术资料下载

产品特点

Low surge, low switching loss.
High-speed switching possible.
Reduced temperature dependance.

引脚配置图

BSM180D12P3C007

相关产品

PART NUMBER	Product Series	Datasheet

S4002	SiC MOSFET Bare Die	Datasheet
SCS306AP	SiC肖特基二极管	Datasheet
SCS308AP	SiC肖特基二极管	Datasheet
SCS310AP	SiC肖特基二极管	Datasheet
SCT3017AL	SiCMOSFET	Datasheet
SCT3022AL	SiCMOSFET	Datasheet

BSM180D12P3C007 BSM180D12P3C007

SCS306AP SCS306AP

SCS308AP SCS308AP

SCS310AP SCS310AP

SCT3017AL SCT3017AL

SCT3022AL SCT3022AL

Spice Model BSM180D12P3C007

Thermal Model BSM180D12P3C007

使用手册 SCS240KE2

NE 手册系列 SCS240KE2

产品目录 SCS240KE2

©1993 - 2025 BDTIC