12 GHz -> +18 GHz（Ku高频段、Ka频段） ( 6 )
我们广泛的RF晶体管产品组合的最新版本：QUBiC4 Si和SiGe:C晶体管。
这些新一代器件提供最佳的RF噪声系数与增益性能，电流损耗最低。该性能可实现低功耗下更出色的信号接收，使RF接收器在噪声环境下运行更稳定。
| 产品型号 | 描述 | 产品状态 |
|---|---|---|
| BFU610F | NPN宽频带硅RF晶体管 | Production |
| BFU630F | NPN宽带硅RF晶体管 | Production |
| BFU710F | NPN宽频带硅锗RF晶体管 | Production |
| BFU725F | NPN宽带硅锗RF晶体管 | Production |
| BFU730F | NPN宽带硅锗RF晶体管 | Production |
| BFU910F | NPN wideband silicon germanium RF transistor | Production |
| Board image | 型号 | 说明 | 状态 |
|---|---|---|---|
 | OM7690 | Low noise amplifier for 2.3 GHz to 2.7 GHz using BFU730F | Production |
 | OM7691 | Single stage 5-6 GHz WLAN LNA using BFU730F | Production |
 | OM7693 | Second stage Ku band LNA using BFU730F in a LNB satellite application | Production |
 | OM7827 | RF Transistor Starter kit for NXP RF wideband transistors BFU6x0F and BFU7x0F | Production |
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