如果您的设计必须确保最低的功耗和发热量，那么我们的低VCEsat (BISS)器件是最佳解决方案。这些器件具备超低功耗和高集极电流特性（凭借创新的网状发射极技术）。
| 产品型号 | 描述 | 产品状态 |
|---|---|---|
| Double low VCEsat (BISS) transistors in DFN2020-6 | Collector-emitter voltage VCEO = 30 V, 60 V and 120 V; collector current IC = 1 A and 2 A | Production |
| PBSS2515VPN | 15 V低VCEsat NPN/PNP晶体管 | Production |
| PBSS2515VS | 15 V低VCEsat NPN双重晶体管 | Production |
| PBSS2515YPN | 15 V低VCEsat NPN/PNP晶体管 | Production |
| PBSS3515VS | 15 V低VCEsat PNP双晶体管 | Production |
| PBSS4021SN | 20 V，7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4021SP | 20 V，6.3 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4021SPN | 20 V NPN/PNP低V_CEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4032SN | 30 V，5.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4032SP | 30 V，4.8 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4032SPN | 30 V，5.7 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4041SN | 60 V，6.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4041SP | 60 V，5.9 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4041SPN | 60 V NPN/PNP低V_CEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4130PANP | 30 V，1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4140DPN | 40 V低VCEsat NPN/PNP晶体管 | Production |
| PBSS4160DPN | 60 V，1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4160DS | 60 V、1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4240DPN | 40 V低VCEsat NPN/PNP晶体管 | Production |
| PBSS4350SPN | 50 V，2.7 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS4350SS | 50 V、2.7 A、NPN/NPN、低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS5160DS | 60 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PBSS5350SS | 50 V，2.7 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管 | Production |
| PHPT610030NK | NPN/NPN高功率双重双极性晶体管 | Production |
| PHPT610030NPK | NPN/PNP high power double bipolar transistor | Production |
| PHPT610030PK | PNP/PNP high power double bipolar transistor | Production |
| PHPT610035NK | NPN/NPN高功率双重双极性晶体管 | Production |
| PHPT610035PK | PNP/PNP matched high power double bipolar transistor | Production |
