低VCEsat(BISS)晶体管双重NPN/NPN ( 14 )

如果您的设计必须确保最低的功耗和发热量,那么我们的低VCEsat (BISS)器件是最佳解决方案。这些器件具备超低功耗和高集极电流特性(凭借创新的网状发射极技术)。

Leaflet
产品型号描述产品状态
PBSS2515VS15 V低VCEsat NPN双重晶体管Production
PBSS4021SN20 V,7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4032SN30 V,5.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4041SN60 V,6.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4112PAN120 V,1 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4130PAN30 V,1 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4160DS60 V、1 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4160PAN60 V,1 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4160PANS60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction
PBSS4230PAN30 V,2 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4260PAN60 V,2 A NPN/NPN低VCEsat (BISS)晶体管Production
PBSS4350SS50 V、2.7 A、NPN/NPN、低VCEsat (BISS)晶体管Production
PHPT610030NKNPN/NPN高功率双重双极性晶体管Production
PHPT610035NKNPN/NPN高功率双重双极性晶体管Production
航空电子双极性晶体管
通用双极性晶体管
稳流源 ( 4 )
标准负载开关 ( 1 )
通用晶体管
开关晶体管
单路中等功率晶体管 ( 102 )
高压晶体管
低噪声晶体管
匹配对晶体管 ( 31 )
复合晶体管
施密特触发器 ( 3 )
MOSFET驱动器晶体管 ( 3 )
中频晶体管
RF双极性晶体管
LNA、混频器、倍频器、缓冲器
高线性度放大器、高输出放大器、驱动器
振荡器
便携设备用UHF功率晶体管 ( 2 )
pHEMT ( 7 )
配备电阻的晶体管(RET)
RET + 通用晶体管 ( 2 )
RET 100mA/50V
RET 500mA/50V
RET 600mA/40V 低VCEsat
低VCEsat(BISS)晶体管
低压低VCEsat (BISS)晶体管
高压低VCEsat(BISS)晶体管 ( 26 )
低VCEsat(BISS)负载开关 ( 32 )
用于照明、开关电源及工业应用的高压双极性晶体管 ( 32 )
Full power in half the footprint - First bipolar transistors in LFPAK / Power-SO8 PHPT61003PY